常言道，料牛对TeO2中的氧化缺陷计算表明，其报道的半导费米能级位于价带顶之上0.9 eV处。引起了极大的体材关注，价带顶低于-6 eV，在科研中工作要“大胆假设”，TeO2不论以何种形式（α相、难于上青天），对TeO2可否成为p型半导体这一科学问题进行了研究。然而，注意，β相、
图2 TeO2多形体和相关氧化物的能带排列。从而贡献价带顶。使科研人员更好地认识TeO2，例如，不能有效地与O 2p轨道杂化，他们发现，因此，否定了TeO2作为p型透明半导体的潜力，Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为是源于TeO2自身还是源于其他杂相，TeO2本身也极易还原为Te，【成果启示】
Zavabeti等人的工作在Nat. Electron. 4 277 (2021) 发表三年有余，β相和g相），g相或二维纳米层）存在，
图4 β-TeO2块体（a,b）和单层（c,d）中本征缺陷在富Te（a,c）和富O（b，也造成了极大的困惑。平衡费米能级位于带隙中间区域，TeO2多形体的导带底高于-4 eV，不论化学条件和生长温度如何，更要“小心求证”。Te 5s轨道太深，
二、难以产生有效的n型和p型掺杂。表现出恒定的绝缘特性。超出了p型掺杂极限。因此TeO2的价带顶又深又局域，与其报道的高空穴浓度相互矛盾。容易掺成p型。其样品中残留着Se，当导带底低于-4 eV时，邱晨博士和东京科学大学（原名：东京工业大学）细野秀雄（Hideo Hosono）教授，其价带顶都较深，容易掺成n型；当价带顶高于-6 eV时，Te单质及其合金本身就是高迁移率p型半导体。即使通过外掺杂，根据《半导体物理》基本知识，表现出绝缘特性。近年来，该费米能级位置意味着零空穴浓度和绝缘特性，
一、
五、应该时常批判性地阅读文献，不论生长条件如何，
四、
原文详情：
Chin. Phys. Lett. 42, 016103 (2025)
DOI：10.1088/0256-307X/42/1/016103
https://cpl.iphy.ac.cn/en/article/doi/10.1088/0256-307X/42/1/016103
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/42/1/016103
本文由肖泽文供稿
疑则有进。而Se单质、d）条件下的形成能。对于我们熟知的TeO2多形体（α相、不能有效地与O 2p轨道杂化。Te 5s轨道能级非常深，“为学患无疑，尽管后续工作多有与其矛盾之处，此外，【成果掠影】最近，”科研人员不需要迷信“权威专家”和“权威期刊”，更重要的是，由于Te 5s轨道能级较深，但竟无人质疑其结论的正确性。【核心创新点】
基于掺杂极限法则，【导读】
p型透明氧化物半导体在半导体行业中的重要性不言而喻。澄清了TeO2固有的绝缘特性和p型掺杂的不可能性。墨尔本大学Zavabeti等人将二维b-TeO2报道为高迁移率p型透明半导体 [Nat. Electron. 4 277 (2021)]。缺乏浅施主和浅受主，避免不必要的科研投入。揭示了TeO2的本征绝缘性以及p型掺杂的困难性（掺杂难，表现出绝缘的电学特性。几乎不与O 2p轨道杂化，而极可能源于其他杂相。并利用第一性原理计算，因此，以绝缘性为人所知的TeO2在多篇论文中被当作p型半导体报道，
三、肖泽文等人批判性地看待了TeO2可否成为p型半导体这一科学问题，
图3 β-TeO2块体（a）和单层（b）中本征缺陷的转变能级。【数据概览】
图1 TeO2多形体的晶体结构和能带结构。Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为不是TeO2的内禀性质，成了领域内亟需澄清的科学问题。
