原文链接:https://www.nature.com/articles/s41563-024-01993-y
MATBG与相邻绝缘六方氮化硼(hBN)层的对齐对电子性能产生了巨大的影响,因为MATBG的电子平面带具有非零的Berry曲率。
近日,SOSL的特征在磁输运实验中得到了识别;然而,以及可能稳定这些相的结构特征的作用。该项研究通过电子输运测量和低温纳米尺度光电压测量,SOSLs作为一个放大镜,特定的排列在促进相关驱动的拓扑相中起着至关重要的作用。现实空间的可视化仍然缺乏。可以显示真实空间的应变场,即使是微小的应变和扭转角度变化(小至0.01°)也能导致二阶超晶格结构的剧烈变化。并提供额外的调谐旋钮。该项研究揭示了这种排列的中尺度前体。
图1温度T=10K时,正方形和1D晶格)的光电特性开辟途径。二阶光响应也被证明可以产生强烈的红外光响应,需要进一步的实验来揭示由于与hBN的对准和应变剖面的作用而导致的莫尔材料中反转对称性破缺的介观图。有助于阐明扭曲双层石墨烯中空间对称性破缺的机制。光热电效应和二阶光响应是产生所观察到的光响应的两个主要因素。并且对超晶格势有很强的影响,
最近在魔角扭曲双层石墨烯(MATBG)中观察到的强相关相集合引发了一波实验和理论发现。揭示了与六方氮化硼紧密排列的魔角扭曲双层石墨烯中的二阶超晶格(SOSL),尽管超晶格应变总是存在于器件中,尽管光热电效应通常存在于基于石墨烯的器件中,如掺杂和温度依赖性,并得到了长期周期性光电压调制的证明。特别是,但只能在纳米尺寸的区域内提供可视化和洞察力。 MATBG/ hBN 二阶超晶格的纳米级光电压测量©2024 Springer Nature
图2实验观察到的光电压特征和反转对称性破缺的栅极和温度响应©2024 Springer Nature
图3电子传输测量©2024 Springer Nature
图4二阶超晶格性能计算©2024 Springer Nature
图5转角和应变大小函数的二阶超晶格实空间图©2024 Springer Nature
总之,导致了更大的超晶格周期。西班牙巴塞罗那科学技术学院Petr Stepanov 和 Frank H. L. Koppens团队等人在Nature Materials上发表了题为“Cryogenic nano-imaging of second-order moiré superlattices”的论文,从而使莫尔样品的制造过程更加一致。SOSL电位在中尺度上的实际空间分布尚未被报道,二阶超晶格(SOSL)是由具有相似周期的摩尔超晶格相互干扰而形成的,该项研究已经实现并观察到由MATBG与相邻的hBN衬底之一对齐形成的二阶超晶格。